特許
J-GLOBAL ID：200903065004100921
トンネル多入力素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323444
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153977
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 制御電圧に対してトンネル電流が強い非線形性を示すトンネル多入力素子を得る。【構成】 キャリアを供給する第1の電極5と、この第1の電極5に接続してキャリアの障壁となる障壁層3と、この障壁層3に接続してキャリアを吸収する第2の電極7と、障壁層3内に空乏層9a〜9cを形成し、第1の電極5から第2の電極7へ流れるキャリアパスを制御する制御電極8a〜8cとから構成されたトンネル多入力素子において、障壁層3の内部に障壁層3の厚さの方向および厚さ方向とは独立して1つの方向に対してキャリアの局在状態を形成する立方体状の量子ドット3aを有している。
請求項（抜粋）：
キャリアを供給する第1の電極と、前記第1の電極に接続して前記キャリアの障壁となる障壁層と、前記障壁層に接続して前記キャリアを吸収する第2の電極と、前記障壁層内に空乏領域を形成し、前記第1の電極から第2の電極へ流れるキャリアパスを制御する少なくとも1つの制御電極とから構成されたトンネル多入力素子において、前記障壁層の内部に前記障壁層の厚さの方向および厚さ方向とは独立して少なくとも1つの方向に対してキャリアの局在状態を形成するポテンシャル構造を有することを特徴とするトンネル多入力素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/88 S
, H01L 29/80 V
, H01L 29/80 A
