特許
J-GLOBAL ID：200903065004746899
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345678
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211144
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】層間絶縁膜の開孔部により下層配線と接続する上層配線のコンタクトホール抵抗の増加や隣接配線間のショート不良を防止する。【構成】下層配線上のポリイミド系樹脂絶縁膜7に設けた開孔部8の側壁に酸化シリコン膜9を設けることにより下層配線と接続する上層配線の下部に設けたTiW膜10と有機層間絶縁膜であるポリイミド系樹脂絶縁膜7とが開孔部8内で直接接触することを回避して、TiW膜10がポリイミド系樹脂絶縁膜7からの水分で酸化されたり、体積膨張を生ずることを防止し、コンタクト不良や隣接配線間の短絡を防ぐ。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けた下層配線と、前記下層配線を含む表面に設けた有機層間絶縁膜と、前記下層配線上の有機層間絶縁膜に設けた上層配線接続用の開孔部と、前記開孔部の側壁に設けた無機絶縁膜と、前記開孔部の下層配線と接続して設けた上層配線とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/31
H01L 21/88 M
, H01L 21/95
