特許

J-GLOBAL ID：200903065007890206

半導体レーザ素子

発明者： 国井 達夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-214549
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049411
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 狭線幅・高変調効率・高周波数応答の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 共振器100には,活性導波路140aと受動導波路140bとが形成されている。受動導波路140bには,ブラッグ回折格子170bが形成されており,活性導波路140aで生じた光Pを選択的に反射して,レーザ光Lを発振する。かかるレーザ光Lは,第2電極160bを介して印加される電力による受動導波路140b内の屈折率変化を利用して周波数変調(FM)される。さらに,レーザ光Lは,第2電極160bと重ならないように素子表面100Cに設置された抵抗加熱膜180bを介して,FM効率が調整される。

請求項（抜粋）：

ブラッグ回折格子が形成された反射導波路と,前記反射導波路の延長方向に位置し前記反射導波路に光を入射する入射導波路と,前記反射導波路の進行方向と実質的に平行な素子表面と,前記素子表面に設置された一の電極と,前記反射導波路の進行方向と実質的に垂直な方向から前記一の電極と対になって前記反射導波路を挟み込む他の電極とを有する,半導体レーザ素子であって:前記素子表面の前記一の電極以外の領域には,発熱手段が設置されていることを特徴とする,半導体レーザ素子。

Fターム (7件)：

5F073AA61 ,  5F073AA65 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073EA04 ,  5F073EA14 ,  5F073FA24