特許

J-GLOBAL ID：200903065012333269

半導体装置の製造方法

発明者： 有本 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132217
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、極めて微細で且つ寸法が揃った高精度の量子細線や量子箱を高密度に形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】[01-1]方向に2°傾斜させた{100}B面をもつGaAs基板10上に、GaAsバッファ層12、GaAs/AlGaAs多重量子井戸層14、GaAs層16、AlAs層18及びGaAsキャップ層20を順に成長させ、CCl2 F2 プラズマエッチングによってGaAsキャップ層20を除去すると共に、露出したAs層18表面にAlの弗化物22を形成し、このAlの弗化物22をマスクとするCl2 プラズマエッチングによってGaAs層16及びGaAs/AlGaAs多重量子井戸層14をエッチングすることにより、GaAs/AlGaAs多重量子井戸層14に4nm×4nmの極めて微細な大きさで[011]方向に延びる量子細線を高密度に形成することができる。

請求項（抜粋）：

[01-1]方向に微傾斜した{100}面をもつIII-V族化合物半導体基板上に、多重量子井戸層を成長する工程と、前記多重量子井戸層上に、1原子層のAlAs層を形成するより少ない量のAl原子を供給して、AlAs層をステップ成長する工程と、前記多重量子井戸層及び前記AlAs層上に、Al原子を含まないIII-V族化合物半導体キャップ層を成長する工程と、F原子を含むハロゲン系ガスを用いて、前記III-V族化合物半導体キャップ層をエッチング除去すると共に、露出させた前記AlAs層表面にAlの弗化物を形成する工程と、前記AlAs層表面に形成した前記Alの弗化物をマスクとし、F原子を含まないハロゲン系ガスを用いて、前記多重量子井戸層をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68 ,  H01L 29/804