パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281057
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121285
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】ホトレジストの露光時の定在波効果を抑制し、パターン寸法精度を向上させることができるパターン形成方法を提供する。【構成】基板3上にホトレジストを塗布し、所定部を露光する。その後さらに膜厚がλ/4n(λ:露光波長、n:ホトレジストの屈折率)の現像液可溶性の透明膜を塗布し、その透明膜上から前の露光と同じ波長で再露光し、現像を行う。この方法により定在波効果を抑制し、パターン寸法精度の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

基板上にホトレジストを塗布しそのホトレジストの所定部を露光する工程と、前記ホトレジスト上にさらにλ/4n(λ:露光波長、n:透明膜の屈折率)の膜厚の現像液可溶性の透明膜を塗布しその透明膜上から前記露光と同一波長で再露光し現像を行う工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 301 C , H01L 21/30 361 K

前のページに戻る