水の酸化還元電位を-400mV〜-600mVに維持する方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-198747
公開番号（公開出願番号）：特開2005-000901
出願日： 2003年06月12日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【目的】水の酸化還元電位を、-400mV〜-600mVに維持すること。【構成】水温10°Cの水道水500mlを殺菌、脱塩素処理を施し、さらに精密濾過処理を施して異味、異臭、不純物を除去し、シリカ系石英斑岩に金属を担持させた還元触媒に接触させながら、水素ガスを、ガス圧0.5MPaで3分間吹き込み水の酸化還元電位を-400mV〜-600mVに低下させ、最外層に2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(厚み12μm)中間層にアルミ箔(厚み9μm)、最内層に特殊ポリエステルフィルム(厚み40μm)の3層構造の容積可変型容器に充填する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化体と還元体の混合状態にある原料水を、シリカ系石英斑岩に金属を担持させた還元触媒と接触させながら、水素をガス圧0.1〜0.95MPaで、10秒〜10分間吹き込んで原料水の酸化還元電位を-400mV〜-600mVに低下し、次いで、この水を光、酸素、水素、水蒸気の完全バリヤー機能がある容器に充填することから成る酸化還元電位を-400mV〜-600mVに維持する方法。

IPC (4件)：

C02F1/68 , B32B1/02 , B65D65/40 , C02F1/70

FI (8件)：

C02F1/68 520B , C02F1/68 510B , C02F1/68 530Z , C02F1/68 540H , C02F1/68 540Z , B32B1/02 , B65D65/40 D , C02F1/70 Z

Fターム (42件)：

3E086AB01 , 3E086AB02 , 3E086AD01 , 3E086BA04 , 3E086BA13 , 3E086BA15 , 3E086BA33 , 3E086BB02 , 3E086BB05 , 3E086BB20 , 3E086CA11 , 4D050AA04 , 4D050AB31 , 4D050BA14 , 4D050BC06 , 4D050BC07 , 4D050CA09 , 4D050CA15 , 4F100AB10B , 4F100AB33B , 4F100AK04A , 4F100AK04E , 4F100AK07A , 4F100AK41A , 4F100AK42C , 4F100AK48A , 4F100AK68A , 4F100AR00D , 4F100BA03 , 4F100BA04 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100DA01 , 4F100EJ37E , 4F100EJ38C , 4F100GB66 , 4F100JD01 , 4F100JD03 , 4F100JD04 , 4F100JK11D

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