特許
J-GLOBAL ID：200903065029922365
光照射による材料の改質方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224294
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064526
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、低温プロセスによって、厚い非晶質シリコン薄膜を粒径が大きい状態に結晶化する。またその技術を用いて半導体装置を形成するのに用いる材料の結晶性を改質する。【構成】 第1工程で、基板11に形成した薄膜12に光Lを1パルス照射して、その薄膜12の表面から所定の深さまで照射した光Lを吸収させる。そして薄膜12の吸光係数よりも小さい吸光係数を有する改質層13を形成する。次いで第2工程で、さらに光Lを1パルス照射して、改質層13を透過させ、その改質層13の直下の領域に照射した光Lを吸収させて、さらに改質層13を所望の深さまで延ばす。そして第3工程では、必要に応じて上記第2工程を繰り返す。また図示はしないが、上記改質方法を用いて、半導体装置製造に用いる非晶質シリコン膜を結晶性シリコン膜の改質して、半導体装置を形成する。
請求項（抜粋）：
基板に形成した薄膜に光を1パルス照射して、該薄膜の表面から所定の深さまで該光を吸収させて、該薄膜の吸光係数よりも小さい吸光係数を有する改質層を形成する第1工程と、さらに光を1パルス照射し、前記改質層を透過して該改質層直下の前記薄膜の領域に該光を吸収させて、該改質層を所定の深さまで延ばす第2工程と、前記第2工程を必要に応じて繰り返す第3工程とからなることを特徴とする光照射による材料の改質方法。
IPC (2件)：
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