特許

J-GLOBAL ID：200903065034238626

光導波管装置

発明者： ジーン-マーク・ハルバウト ,  サブラマニアン・スリカンテスワラ・ライヤー ,  ビジェイ・パンチャパ・ケサン ,  ジョージ・ビクター・トレイズ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240112
公開番号（公開出願番号）：特開平6-201934
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 放射エネルギーを伝達する、シリコン-ゲルマニウム合金を組込んだ低損失半導体導波管を提供する。【構成】 光導波管10、40は、半導体基板12、42、その上に形成されたシリコン層18、光放射を伝達するために、更にその上に形成されたSi1-xGex或いはSi1-x-yGexCy の層22、及び上記放射伝達用の層22上に形成され、厚いストリップ領域28下に導波管24を定義し、その他の領域はキャッピング層30を提供するようにパターン化される、異なる屈折率を有するシリコン或いは他の材料の層26、30とにより構成される。【効果】 本発明は、導波管の横寸法を定義するために、通常使用される側壁表面及び界面による減衰問題を克服する。

請求項（抜粋）：

光放射を伝達する導波管装置であって、基板と、上記基板上に形成されたシリコンによる第1の層と、上記第1の層上に形成された、Si1-xGex及びSi1-x-yGexCyより成るグループから選択された材料による第2の層と、導波管が要求される領域では第1の厚みを有し、導波管が不要な領域では第2の厚みを有する、上記第2の層上に形成された第3の層と、を含む導波管装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-102528
  
• 特開昭52-153459