特許
J-GLOBAL ID：200903065035269088
レジスト塗布方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198067
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045242
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】本発明は、LSI等の半導体製造に用いるウェハのレジスト塗布方法及びその装置に係り、レジストの塗布むらの低減及びレジスト塗布の高速化を目的とする。【構成】CPU1の指令により、レジスト5は吹付部17より、CPU1及びコンベヤ制御装置7により駆動するコンベヤ8上のウェハに吹き付けられる、レジスト膜厚検知装置9はウェハ6上のレジスト5の膜厚を測定し、吹付部17及びコンベヤ制御装置7へフィ-ドバックをかけ、常に一定なレジスト膜厚となるように最適化する。【効果】上記構成により、レジスト塗布むらの低減及びレジスト塗布の高速化が図れる。また、ウェハの歩留まりが向上し、高品質なウェハができるため、ステッパ等におけるウェハの高精度アライメントが可能となる効果がある。
請求項（抜粋）：
レジストを吹付部より霧状に吹き出して、連続的に移動するコンベヤ上のウェハに吹き付けることを特徴とするレジスト塗布方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, B05B 13/02
, G03F 7/16 501
