特許

J-GLOBAL ID：200903065037852198

ガスデポジション成膜方法及びガスデポジション成膜装置

発明者： 李 効民 ,  久保田 哲平
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 町田 袈裟治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-144524
公開番号（公開出願番号）：特開2002-339058
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】 1度の成膜処理によって膜形成基板の表裏面に微粒子膜を形成することが可能であり、膜形成基板に歪みが生じることを容易に防止できるガスデポジション成膜方法及びガスデポジション成膜装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るガスデポジション成膜方法は、微粒子の原料粉末4を搬送ガスと混合してエアロゾル状微粒子を生成し、該エアロゾル状微粒子を膜形成室2内に導入して該膜形成室2内に設置された膜形成基板S上に微粒子膜を形成する方法であり、前記エアロゾル状微粒子を前記膜形成基板Sの表裏面それぞれに対して同時に供給し、該表裏面上に前記微粒子膜を同時に形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

微粒子の原料粉末を搬送ガスと混合してエアロゾル状微粒子を生成し、該エアロゾル状微粒子を膜形成室内に導入して該膜形成室内に設置された膜形成基板上に微粒子膜を形成するガスデポジション成膜方法であって、前記エアロゾル状微粒子を前記膜形成基板の表裏面それぞれに対して同時に供給し、該表裏面上に前記微粒子膜を同時に形成することを特徴とするガスデポジション成膜方法。

IPC (5件)：

C23C 14/22 ,  B01J 19/00 ,  H01L 21/31 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C23C 14/22 Z ,  B01J 19/00 K ,  H01L 21/31 B ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A

Fターム (33件)：

4G075AA24 ,  4G075BB08 ,  4G075BC10 ,  4G075BD03 ,  4G075BD04 ,  4G075BD14 ,  4G075DA01 ,  4G075EB01 ,  4G075EC01 ,  4G075EC06 ,  4G075EE12 ,  4G075FB02 ,  4K029AA04 ,  4K029BA50 ,  4K029BB04 ,  4K029BC00 ,  4K029BC06 ,  4K029BD00 ,  4K029DA04 ,  5F045AA00 ,  5F045AB31 ,  5F045BB00 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DP05 ,  5F045EB02 ,  5F045EB19 ,  5F045EC01 ,  5F045EC07 ,  5F045EE02 ,  5F045EE05 ,  5F045EF08