特許
J-GLOBAL ID:200903065038712551
半導体基板表面の金属不純物回収装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-287929
公開番号(公開出願番号):特開平10-135169
出願日: 1996年10月30日
公開日(公表日): 1998年05月22日
要約:
【要約】【課題】 ウエハ表面の金属不純物を回収する液滴を、他の表面に接触させずに走査する金属不純物回収装置を提供する。【解決手段】 ベース6にウエハ1を固定し、金属不純物を回収するための液滴2をウエハ1の表面に滴下する。ベース6に2台の加振用アクチエータ5を、XとY方向それぞれ直角に配置し、液滴2をXとY方向それぞれに周期的な慣性力を与えて移動させる。さらに、液滴2をXとY方向で囲む形で、液滴の位置検出用光センサ4を配置し、センサ移動機構3によって液滴2の運動を追従しながら、位置補正のための信号を加振用アクチエータ5に送ることによって、ウエハサイズに応じた走査経路と、汚染状態に応じた液滴の表面滞在時間を制御するための手段とする。
請求項(抜粋):
直交した運動に対するガイドを備えたベースに、ウエハを静電又は真空吸着によって固定し、金属不純物を回収するための液滴を前記ウエハ表面に滴下し、前記ベースに2台の加振用アクチュエータを、XとY方向それぞれ直角に配置することによる、前記液滴にXとY方向それぞれに周期的な慣性力を与えるための手段と、前記液滴をXとY方向で囲む形で、前記液滴の位置検出用光センサを配置し、センサ移動機構によって前記液滴の運動を追従しながら、位置補正のための信号を前記加振用アクチエータに送ることによる、ウエハサイズに応じた走査経路と、汚染状態に応じた前記液滴の表面滞在時間を制御するための手段とを備えることを特徴とする金属不純物回収装置。
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