特許
J-GLOBAL ID：200903065048206450
低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-214878
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065335
出願日： 1996年08月14日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 表面絶縁層を、中間絶縁層より高強度の材料から構成したガラスセラミックス多層配線基板をフリップチップ法により電子部品に接続した場合に信頼性の高い外部接続が可能なガラスセラミックス多層配線基板を製造する。【解決手段】 フリップチップ接続側の面は表面絶縁層用のグリーンシートの積層枚数を少なくして、表面絶縁層の厚みを両面で互いに変化させる。一括焼成時の反りの問題は、凹部状に反る側の面をセッター面に向けて焼成することで解消される。
請求項（抜粋）：
両面がいずれも絶縁層からなり、その内部に配線層が中間絶縁層と交互に積層されている、各絶縁層がすべてガラスセラミックス材料からなる低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板において、表面絶縁層が中間絶縁層より抗折強度の高いガラスセラミックス材料から形成され、かつ両面の表面絶縁層の厚みが互いに異なることを特徴とする、低温焼成ガラスセラミックス多層配線基板。
FI (3件)：
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 T
