特許
J-GLOBAL ID：200903065049975082
多次元半導体加速度センサの構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-156134
公開番号（公開出願番号）：特開平5-322919
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年12月07日
要約：
【要約】【目的】 センサチップのステムへの位置合わせが簡単にでき、かつ、コストを削減し得る。【構成】 センサチップ48をボンディングするボンディングヘッドとして、ガラス台座24や半導体ペレット20等に近い熱膨張係数を有するコバール合金等を材料とし、かつ、ガラスによるリードピン51のハーメチックシール52を有するステム50を設ける。該ステム50には、センサの重錘体16の作動範囲を制御する形状の凹み部54を形成し、前記センサチップ48の前記凹み部54に対向する側のサイズaは、前記凹み部54開口部のサイズbより小さく、かつ、凹み部54底部のサイズcより大きいものとする。前記センサチップ48は、前記凹み部54に入るようにダイボンドする。これにより、センサチップ48のステム50への位置合わせが簡単にでき、かつ、コストを削減し得る。
請求項（抜粋）：
ピエゾ抵抗効果を利用した多数個の感歪抵抗ブリッジと、ダイヤフラム型の可撓部と、該可撓部につながる作用部に接合された重錘体とを有する多次元半導体加速度センサの構造において、センサチップをボンディングするボンディングヘッドとして、台座や半導体基板等に近い熱膨張係数を有するコバール合金等を材料とし、かつ、リードピンのハーメチックシールを有するステムを設け、該ステムには、センサの重錘体の作動範囲を制御する形状の凹み部が形成され、前記センサチップの前記凹み部に対向する側のサイズは、前記凹み部開口部のサイズより小さく、かつ、凹み部底部のサイズより大きいものとされ、前記センサチップは、前記凹み部に入るようにダイボンドされたことを特徴とする多次元半導体加速度センサの構造。
IPC (2件)：
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