特許

J-GLOBAL ID：200903065052048397

シリコンデバイス

発明者： 吉田 幸久 ,  熊谷 宗人 ,  堤 和彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001004987
公開番号（公開出願番号）：WO2002-103368
出願日： 2001年06月13日
公開日（公表日）： 2002年12月27日
要約：

絶縁性基板と、その絶縁性基板との間に空隙部を設けて接合されたシリコンの梁状構造体と、その梁状構造体を離間して包囲し絶縁性基板に接合されたシリコンの枠体と、から成るシリコンデバイスに関する。梁状構造体は、絶縁性基板に接合された支持部と、その支持部と一体形成され空隙部に張出した少なくとも1つの片持ち梁とから成る、少なくとも1つの機能部を有する。さらに、少なくとも、片持ち梁の直下の絶縁性基板の表面に、枠体と導通する導電性膜を有している。その導電性膜は、ドライエッチングの際に、絶縁性基板の表面が正電荷に帯電するのを防止する。そのため、正電荷を有するエッチングガスは、絶縁性基板の表面から電気的斥力を受けて反跳することがないので、梁状構造体を浸食することがない。したがって、本発明のシリコンデバイスは、形状及び寸法精度の高い梁状構造体を有するので、高い信頼性と設計自由度を提供できる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、該絶縁性基板との間に空隙部を設けて接合されたシリコンの梁状構造体と、該梁状構造体を離間して包囲し前記絶縁性基板に接合されたシリコンの枠体と、から成り、前記梁状構造体が、前記絶縁性基板に接合された支持部と、該支持部と一体形成され前記空隙部に張出した少なくとも1つの片持ち梁とから成る、少なくとも1つの機能部を有するシリコンデバイスにおいて、 前記枠体と電気的に導通し、少なくとも、前記片持ち梁の直下の前記絶縁性基板の表面に形成された導電性膜を有するシリコンデバイス。

IPC (4件)：

G01P15/125 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L29/84

FI (4件)：

G01P15/125 Z ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L29/84 Z