特許
J-GLOBAL ID：200903065053748198
半導体装置バンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181689
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045941
出願日： 1994年08月03日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置バンプ形成時において、ウエットバック時の半田の広がりを防止することによって、均一なバンプ高さを得ることができる半導体装置バンプの形成方法を提供する。【構成】 半導体装置のパッド電極面にメッキ電源供給用カレントフィルム13と半田バリア用Cr膜14を連続してスパッタリングする工程と、パッド電極部に半田バリアメタルCu層16を形成する工程と、前記パッド電極部にマッシュルーム型半田メッキ17を形成する工程と、このマッシュルーム型半田メッキ17の半田融解によるボール状半田バンプ18の形成後に、前記半田バリア用Cr膜14及びメッキ電源供給用カレントフィルム13を除去する工程を施す。
請求項（抜粋）：
(a)半導体装置のパッド電極面にめっき電源供給用カレントフィルムと半田バリア用Cr膜を連続してスパッタリングする工程と、(b)パッド電極部に半田バリアメタル層を形成する工程と、(c)前記パッド電極部にマッシュルーム型半田めっきを形成する工程と、(d)該マッシュルーム型半田めっきの半田融解によるボール状半田バンプの形成後に前記半田バリア用Cr膜及びめっき電源供給用カレントフィルムを除去する工程を施すことを特徴とする半導体装置バンプの形成方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 A
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 604 B
