特許

J-GLOBAL ID：200903065055458480

レジストパターン形成方法、フレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者： 上島 聡史
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049353
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242636
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 より微細なかつ高精度のレジストパターンを安定して得ることができるレジストパターン形成方法、この方法によって形成したレジストパターンを用いたフレームめっき方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 露光又は加熱により酸を発生する材料を含むレジスト材料によってレジストパターンを形成し、形成したレジストパターン上に酸の存在で架橋する水溶性架橋剤のみを塗布した後、少なくとも水溶性樹脂を含む樹脂材料を塗布し、露光又は加熱によりレジストパターンから酸を発生させて水溶性架橋剤を架橋反応させ、レジストパターンの被覆層を形成する。

請求項（抜粋）：

露光又は加熱により酸を発生する材料を含むレジスト材料によってレジストパターンを形成し、該形成したレジストパターン上に酸の存在で架橋する水溶性架橋剤のみを塗布した後、少なくとも水溶性樹脂を含む樹脂材料を塗布し、露光又は加熱により前記レジストパターンから酸を発生させて前記水溶性架橋剤を架橋反応させ、前記レジストパターンの被覆層を形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31

FI (6件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31 C

Fターム (41件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB15 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025BE02 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025CB42 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB53 ,  2H025CC04 ,  2H025CC17 ,  2H025DA01 ,  2H025DA03 ,  2H025DA40 ,  2H025FA17 ,  2H025FA31 ,  2H025FA40 ,  2H025FA43 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096BA10 ,  2H096BA11 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA03 ,  2H096HA27 ,  2H096HA30 ,  2H096JA10 ,  2H096KA03 ,  2H096KA08 ,  2H096KA09 ,  2H096KA15 ,  5D033BA01 ,  5D033DA04 ,  5D033DA07