特許

J-GLOBAL ID：200903065057134259

薄膜形成方法

発明者： 根本 雅昭
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032594
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245430
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 良好な結晶性並びに良好な平坦性を備え、かつ単結晶構造で特定の面内配向をなす薄膜が基板材料に制約されずに形成できる薄膜形成技術を提供する。特にジョセフソン接合素子に好適な超電導薄膜形成技術を提供する。【構成】 薄膜形成方法において、第1工程として、単結晶構造の薄膜が積層される結晶面を有し、かつ前記結晶面に積層される薄膜に前記結晶面の格子定数に応じて複数の面内配向方位を与える結晶構造を有する基板1を準備する。第2工程として、前記複数与えられる面内配向方位のうち1つの面内配向方位を選択し、前記選択された1つの面内配向方位を与える基板1の結晶面の特定方位に一致させ、前記基板1の結晶面上に前記薄膜を形成する粒子を入射する。粒子の入射にはオフアクシススパッタ法かオフアクシスイオンビーム蒸着法が使用される。入射した粒子は表面拡散をする。この結果、粒子の入射方向に対して一定の方位に面内配向をなす薄膜が形成できる。薄膜としては例えば超電導薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

下記工程(1)及び工程(2)を具備したことを特徴とする薄膜形成方法。(1)単結晶構造の薄膜が形成される結晶面を有し、かつ前記結晶面に形成される薄膜に前記結晶面の格子定数に応じて複数の面内配向方位を与える結晶構造を有する基板を準備する工程。(2)前記複数与えられる面内配向方位のうち1つの面内配向方位を選択し、下記条件(a)及び条件(b)に基づき前記基板の結晶面上に前記選択された面内配向方位を有する単結晶構造の薄膜を形成する工程。(a)前記選択された1つの面内配向方位を与える基板の結晶面の特定方位に一致させ、かつ前記基板の結晶面に対して傾斜角をもって前記基板の結晶面上に前記薄膜を形成する粒子を入射する。(b)前記基板の結晶面上に入射された粒子を前記特定方位と一致する方向に表面拡散させる。

IPC (4件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  C23C 14/34