特許

J-GLOBAL ID：200903065066813673

シリコン単結晶の成長方法

発明者： 前田 秋穂 ,  三田村 伸晃 ,  竹安 志信
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-368291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199384
出願日： 1997年12月27日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 絞り部の直径を太くし、強度を向上させるのに、厄介な種結晶の特殊形状への加工をする必要がなく、しかも簡単かつ短時間で確実にスリップ転位を消滅させることができ、大直径で長尺な高重量のシリコン単結晶を、極めて簡単に引上げることができる、シリコン単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 結晶方位が<100>または<111>の種結晶をシリコン融液に接触させた後、種絞りを行って無転位化し、次いで所望直径まで太らせて前記結晶方位のシリコン単結晶棒を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長方法において、前記種絞りを、絞り部、拡径部を交互に形成するようにし、あるいは少なくとも種結晶の2倍以上の太さの拡径部を形成するようにし、絞り部の最小径を5mm以上として種絞りを行うことを特徴とするシリコン単結晶の成長方法。

請求項（抜粋）：

結晶方位が<100>または<111>の種結晶をシリコン融液に接触させた後、種絞りを行って無転位化し、次いで所望直径まで太らせて前記結晶方位のシリコン単結晶棒を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長方法において、前記種絞りを、絞り部、拡径部を交互に形成するようにし、絞り部の最小径を5mm以上として種絞りを行うことを特徴とするシリコン単結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/22 ,  C30B 15/36

FI (3件)：

C30B 29/06 502 F ,  C30B 15/22 ,  C30B 15/36