特許

J-GLOBAL ID：200903065072385454

半導体製造方法及び装置

発明者： 安部 寿充
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264695
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073189
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】 長期間に亘ってエッジチップの発生なしにウエハーベースにセットされた基板上に気相成長による成膜を行えるようにすること。【解決手段】 原料ガスを反応装置2内に供給しウエハーベース30の凹部31にセットして保持されている半導体基板40の表面に半導体単結晶層50を気相成長させるようにした半導体製造装置1において、凹部31の深さ寸法Dを半導体基板40の厚さ寸法dよりも大きくした。この寸法差により半導体基板40の表面レベルは凹部31のエッジのレベルよりも下方となり、ウエハーベース30の表面30Aに堆積した堆積層60のせり出し部60Aのの影響を有効に回避することができる。凹部31の深さ寸法Dを半導体基板40の厚さ寸法dより小さくしてもよい。

請求項（抜粋）：

原料ガスを反応装置内に供給し該反応装置内にウエハーベースの凹部にセットして保持されている基板の表面に半導体薄膜結晶層を気相成長させるようにした半導体製造装置において、前記凹部の深さ寸法を前記基板の厚さ寸法よりも大きくしたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

C30B 25/12 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 25/12 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Fターム (19件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EG03 ,  4G077TF02 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045DP09 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EJ04 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10