特許

J-GLOBAL ID：200903065073391326

薄膜型電子源、それを用いた表示装置及び応用機器

発明者： 鈴木 睦三 ,  楠 敏明 ,  佐川 雅一 ,  岡井 誠 ,  石坂 彰利
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999002840
公開番号（公開出願番号）：WO2000-074098
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月07日
要約：

【要約】薄膜型電子源の上部電極(11)の材料として、Siよりも大きな禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を用いる。特に、SnO2やITO膜などの導電性酸化物、GaNやSiCなどの広禁制帯幅半導体を用いる。ホットエレクトロンが通過する上部電極(11)中での電子のエネルギー損失が低減し、電子放出効率が向上する。従来並のダイオード電流の場合、高い放出電流が得られる。一方、従来並の放出電流密度の場合、低駆動電流で済む為、給電線および駆動回路を簡易化できる。

請求項（抜粋）：

下部電極、絶縁層、上部電極をこの順に積層した構造を有し、前記下部電極と前記上部電極の間に、前記下部電極に対して前記上部電極が正電圧になる極性の電圧を印加した際に、真空中において前記上部電極の表面から電子を放出する薄膜型電子源において、前記上部電極は、Siよりも広い禁制帯幅を有し、かつ導電性を有する材料を構成材として有していることを特徴とする薄膜型電子源。

IPC (5件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  H01J 37/073

FI (5件)：

H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 A ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 B ,  H01J 37/073