特許

J-GLOBAL ID：200903065077393366

薄膜エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

発明者： 田中 克 ,  岡本 信治
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (1件)： 川野 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375872
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207091
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】発光層における濃度消光が生じ難い構成とし、発光中心材料を発光層中に極めて高濃度となるまで固溶することで、発光効率の高い薄膜EL素子を得る。【解決手段】この薄膜EL素子は、ガラス基板1上に、下部電極層2、下部絶縁層3、第1バッファ層51、発光層4、第2バッファ層52、上部絶縁層6および上部電極層7を順次積層することにより形成されており、発光層4からのEL発光はガラス基板1を介して出力される。発光中心は、Ce,Sm,Eu,Tb,Tm,Pr,Nd,Er,Yb,Lu,Pm,Gd,Dy,Ho,Mn,Cu,Pbの元素から選択される少なくとも1つの材料により形成し、上記発光層4は、該材料を80〜100モル%固溶した蛍光材料により構成する。この蛍光材料は、例えばEuGa2S4からなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発光中心を、Ce,Sm,Eu,Tb,Tm,Pr,Nd,Er,Yb,Lu,Pm,Gd,Dy,Ho,Mn,Cu,Pbの元素から選択される少なくとも1つの材料により形成し、 発光層を、該材料を80〜100モル%固溶した蛍光材料により構成したことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (3件)：

H05B33/14 ,  C09K11/62 ,  H05B33/10

FI (3件)：

H05B33/14 Z ,  C09K11/62 ,  H05B33/10

Fターム (24件)：

3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007BB02 ,  3K007CA01 ,  3K007CA02 ,  3K007CB01 ,  3K007DA02 ,  3K007DA05 ,  3K007DB00 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007EA02 ,  3K007EC00 ,  3K007FA01 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001XA16 ,  4H001XA31 ,  4H001YA00 ,  4H001YA25 ,  4H001YA29 ,  4H001YA63 ,  4H001YA82