特許

J-GLOBAL ID：200903065083026146

シリコン基板中炭素の検出方法

発明者： 西原 克浩 ,  山本 俊郎
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168321
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330966
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 CPAA法では、荷電粒子(イオン)の加速器が必要なため、日常のルーティン分析には適さず、日常のルーティン分析に用いられ、最も簡便にシリコン基板中炭素を検出し得る室温FT-IR法では高感度の検出が困難である。また、低温FT-IR法では試料の形状が限定されるため通常市販されている形状のシリコン基板中炭素のルーティン分析には採用することができない。【解決手段】 シリコン基板2に対して、まず窒素雰囲気中で600〜800(°C)×4〜64時間の熱処理を行い、該熱処理により形成された窒化珪素膜12を除去した後、リング状の窒化珪素膜12を形成し、その後酸素雰囲気中で1000〜1200(°C)×4〜64時間の熱処理を行った後、リング状の窒化珪素膜12を除去して、フーリエ変換型赤外吸収(FT-IR)法により室温でシリコン基板2中の炭素を検出することを特徴とするシリコン基板中炭素の検出方法を採用する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に対して、まず窒素雰囲気中で600〜800(°C)×4〜64時間の熱処理を行い、該熱処理により形成された窒化珪素膜を除去した後、リング状の窒化珪素膜を形成し、その後酸素雰囲気中で1000〜1200(°C)×4〜64時間の熱処理を行った後、前記リング状の窒化珪素膜を除去して、フーリエ変換型赤外吸収(FT-IR)法により室温でシリコン基板中の炭素を検出することを特徴とするシリコン基板中炭素の検出方法。

IPC (5件)：

H01L 21/66 ,  C30B 29/06 ,  G01N 21/35 ,  G01N 33/00 ,  G01N 1/28

FI (5件)：

H01L 21/66 N ,  C30B 29/06 Z ,  G01N 21/35 Z ,  G01N 33/00 A ,  G01N 1/28 K