特許

J-GLOBAL ID：200903065084121002

量子コンピュータおよびこの制御方法

発明者： 関根 佳明 ,  田中 弘隆 ,  中ノ 勇人 ,  赤崎 達志 ,  ▲高▼柳 英明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-254051
公開番号（公開出願番号）：特開2003-067181
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 量子コンピュータの演算における量子ビット間の相互作用を、任意に制御できるようにする。【解決手段】 超伝導体から構成された磁束転送器101に、超伝導電流が流れうる状態と流れない状態とを切り換える(超伝導電流をオンオフする)、切り換え手段として、ジョセフソン接合電界効果トランジスタ(JOFET)102を用い、磁束量子ビット104a,104b間の相互作用を、任意に制御し、量子もつれ合い状態を実現する。

請求項（抜粋）：

2つの磁束量子ビットと、この2つの磁束量子ビット間に相互作用を作用させる磁束転送器とを備えた量子コンピュータにおいて、前記磁束転送器に流れる超伝導電流をオンオフする切り換え手段を備えたことを特徴とする量子コンピュータ。

IPC (3件)：

G06F 7/48 ,  H01L 39/22 ,  H01L 39/22 ZAA

FI (3件)：

G06F 7/48 S ,  H01L 39/22 G ,  H01L 39/22 ZAA K

Fターム (10件)：

4M113AB01 ,  4M113AB11 ,  4M113AC08 ,  4M113AC45 ,  4M113AD04 ,  4M113AD21 ,  4M113CA11 ,  4M113CA13 ,  5B016AA04 ,  5B016GA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-232590   出願人：理化学研究所
• 位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124378   出願人：理化学研究所
• 超電導素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-042617   出願人：株式会社東芝