特許

J-GLOBAL ID：200903065085136658

多結晶シリコン薄膜の製造方法

発明者： 三島 康由 ,  竹井 美智子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000551
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182919
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜の製造方法に関し、ガラス基板への形成を目的とする。【構成】 ガラス基板を被処理基板とし、ジシランを反応ガスとして減圧気相成長法により被処理基板上にアモルファス・シリコン膜を形成した後に、この基板を酸素雰囲気中に置き、アモルファス・シリコン膜の表面を酸化させた後、600°C以下の熱処理を行ってアモルファス・シリコンを多結晶化するか、或いは、ガラス基板を被処理基板とし、反応ガスとしてシランを、希釈ガスとして水素または不活性ガスを用い減圧気相反応を行い、被処理基板上にアモルファス・シリコン膜を形成する際、希釈ガスを活性化した状態で供給して成膜させた後、熱処理を行ってアモルファス膜を結晶化することを特徴として多結晶シリコン薄膜の製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板を被処理基板とし、ジシランを反応ガスとして減圧気相成長法により該被処理基板上にアモルファス・シリコン膜を形成した後に該基板を酸素雰囲気中に置き、該アモルファス・シリコン膜の表面を酸化させた後、不活性ガス雰囲気中で600 °C以下の熱処理を行って該アモルファス・シリコンを多結晶化することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/18 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784