特許

J-GLOBAL ID：200903065089190428

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  小林 知洋 ,  渡辺 修 ,  武田 隆信 ,  石原 俊信 ,  渡辺 淳
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-347412
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【解決手段】 フェノール誘導体のデンポリマー又はハイパーブランチポリマーからなる重量平均分子量が500〜10,000,000の高分子化合物をベースポリマーとして含むことを特徴とするレジスト材料。【効果】 本発明のレジスト材料は、十分な解像力を有し、ラインエッジラフネスが小さく、優れた耐ドライエッチング性を有し、化学増幅型レジスト材料として有効であり、またこの場合、ポジ型のみでなく、ネガ型に用いても優れた解像度を与える。

請求項（抜粋）：

フェノール誘導体のデンポリマー又はハイパーブランチポリマーからなる重量平均分子量が500〜10,000,000の高分子化合物をベースポリマーとして含むことを特徴とするレジスト材料。

IPC (7件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 2/06 ,  C08F212/14 ,  C08J 3/24 CER ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027 ,  C08L 25:18

FI (6件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 2/06 ,  C08F212/14 ,  C08J 3/24 CER Z ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (68件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4F070AA17 ,  4F070AB02 ,  4F070AB09 ,  4F070AB12 ,  4F070AB22 ,  4F070AC63 ,  4F070AE08 ,  4F070GA04 ,  4F070GB05 ,  4F070GB09 ,  4F070GC09 ,  4J011AA05 ,  4J011BB01 ,  4J011BB02 ,  4J011DA04 ,  4J011HA04 ,  4J011HB02 ,  4J011HB22 ,  4J011PA65 ,  4J011PB40 ,  4J011PC02 ,  4J011QA19 ,  4J011RA10 ,  4J011RA11 ,  4J011RA15 ,  4J011RA17 ,  4J011TA10 ,  4J011UA03 ,  4J011UA08 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA12Q ,  4J100BA22Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA23 ,  4J100CA31 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA39 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100HA53 ,  4J100HD00 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 感放射線性樹脂材料及び感放射線性塗布組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-092124   出願人：三菱化学株式会社
• フェノール系デンドリマー化合物およびそれを含む感放射線性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-136066   出願人：ジェイエスアール株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-186952   出願人：信越化学工業株式会社
• ネガ型感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074716   出願人：ジェイエスアール株式会社