特許

J-GLOBAL ID：200903065094320011

プラズマ処理方法及びその装置

発明者： 石田 丈繁 ,  佐藤 徳芳 ,  飯塚 哲
出願人/特許権者： 国際電気株式会社 ,  佐藤 徳芳
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-109016
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297176
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】プラズマ処理、特にマイクロ波プラズマ処理方法により大面積の被処理基板を、効率よく而も均一処理が行える様にする。【構成】平面スロットアンテナ2と、該平面スロットアンテナ軸心延長上に配設され所要段のマルチポール磁石リング12とから構成されるマルチポール磁石13を具備し、前記平面スロットアンテナにマイクロ波電力を供給して反応性ガスをプラズマ化して被処理基板を処理するプラズマ処理方法に於いて、被処理基板7を前記マルチポール磁石で囲まれる空間内に設置し、平面スロットアンテナに近い高密度プラズマ領域で高速且均一なプラズマ処理を行う。

請求項（抜粋）：

平面スロットアンテナと、該平面スロットアンテナ軸心延長上に配設され所要段のマルチポール磁石リングから構成されるマルチポール磁石とを具備し、前記平面スロットアンテナにマイクロ波電力を供給して反応性ガスをプラズマ化して被処理基板を処理するプラズマ処理方法に於いて、被処理基板を前記マルチポール磁石で囲まれる空間内に設置してプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01P 5/103 ,  H01Q 13/10 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/31 C