特許

J-GLOBAL ID：200903065096444176

接触水素化方法およびこの方法において使用可能な触媒

発明者： カン グェン サン ,  ブレーズ ディディヨーン ,  パトリック サラザン ,  シャルル キャメローン
出願人/特許権者： アンスティテュ フランセ デュ ペトロール
代理人 (1件)： 岸本 瑛之助 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142298
公開番号（公開出願番号）：特開平8-053375
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【構成】 アセチレンをエチレンへガス相で選択的水素化するにあたり、水素存在下、アセチレンを含む仕込原料を、パラジウムと、周期表のIB族の少なくとも一つの金属と、アルミナとを含む球体または円柱形押出物形態の触媒上に、ガス相で通過させる。触媒は、パラジウムに対するIB族の金属の重量比0.05〜0.4であり、パラジウムの少なくとも80%の割合およびIB族の金属の少なくとも80%の割合は、触媒の球体物または押出物の平均半径に一致する半径r1を有する球または円柱の面と少なくとも0.8r1に等しい半径r2を有する球または円柱の面とによって境界を定められた、触媒の表層部容積内に存在する。【効果】 安定性および選択性に優れる。

請求項（抜粋）：

炭素原子数2または3の少なくとも一つのアセチレン系炭化水素の対応するエチレン系炭化水素へのガス相での選択的水素化方法において、水素の存在下、炭素原子数2または3の少なくとも一つのアセチレン系炭化水素を含む仕込原料を、パラジウムと、周期表のIB族の少なくとも一つの金属と、アルミナとを含む球体または円柱形押出物形態の触媒上に、ガス相で通過させることを含み、パラジウムに対するIB族の金属の重量比は0.05〜0.4であり、パラジウムの少なくとも80%の割合およびIB族の金属の少なくとも80%の割合は、触媒の球体物または押出物の平均半径に一致する半径r1を有する球または円柱の面と少なくとも0.8r1に等しい半径r2を有する球または円柱の面とによって境界を定められた、触媒の表層部容積内に存在することを特徴とする選択的水素化方法。

IPC (8件)：

C07C 11/04 ,  B01J 23/44 ,  B01J 23/50 ,  B01J 35/02 301 ,  B01J 35/08 ,  C07C 5/09 ,  C07C 11/06 ,  C07B 61/00 300

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公平2-014099
  
• 特開昭52-125486
  
• 特開昭56-089841
  
• 特開昭57-200490