絶縁ゲート型トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：田中正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321475
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162395
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】単結晶半導体層内にソース領域とオフセット領域とドレイン領域とがソース領域及びオフセット領域間にチャンネル領域を形成するように形成され、単結晶半導体層の第1の主面上にゲート電極がゲート絶縁膜を介してチャンネル領域に対向して形成されている絶縁ゲート型トランジスタにおいて、オン抵抗を小さくして高速動作が得られ、また寄生バイポーラトランジスタがオンになるおそれのないようにする。【解決手段】単結晶半導体層の第2の主面上にチャンネル領域からドレイン領域に到る領域を覆っている絶縁層が形成され、チャンネル領域の絶縁層に覆われていない一部領域に、その一部領域から絶縁層上にチャンネル領域からドレイン領域に到る領域と対向して延長しているバックゲート電極がオーミックに連結している。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を与える不純物を比較的低い濃度で導入している、第1の導電型を有する単結晶半導体層を有し、上記単結晶半導体層内に、?@第1の導電型とは逆の第2の導電型を与える不純物を比較的高い濃度で導入している、第2の導電型を有するソース領域と、?A第2の導電型を与える不純物を比較的低い濃度で導入している、第2の導電型を有するオフセット領域と、?B上記ソース領域には連接していないが上記オフセット領域には連接し、且つ第2の導電型を与える不純物を比較的高い濃度で導入している、第2の導電型を有するドレイン領域とが、上記ソース領域及び上記オフセット領域には連接しているが上記ドレイン領域には連接していないチャンネル領域を形成するように且つ少なくとも上記ソース領域、上記チャンネル領域及び上記オフセット領域が上記単結晶半導体層の相対向する第1及び第2の主面に臨むように、形成され、上記単結晶半導体層の第1の主面上に、ゲート電極が、ゲート絶縁膜を介して、上記チャンネル領域に対向するように形成されている電界効果型の絶縁ゲート型トランジスタにおいて、上記単結晶半導体層の第2の主面上に、少なくとも上記チャンネル領域から上記オフセット領域を通って上記ドレイン領域に到る領域を覆って延長している絶縁層が、上記チャンネル領域の一部領域を覆うことなしに形成され、上記チャンネル領域の上記絶縁層に覆われていない一部領域に、その一部領域から上記絶縁層上に上記チャンネル領域から上記オフセット領域を通って上記ドレイン領域に到る領域と対向して延長しているバックゲート電極がオーミックに連結していることを特徴とする絶縁ゲート型トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-053534
特開平3-288471
特開平4-010660

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