特許

J-GLOBAL ID：200903065100890160

電力用半導体素子のゲート駆動回路

発明者： 滝沢 聡毅
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-006399
公開番号（公開出願番号）：特開2001-197724
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】電力用半導体素子のゲート駆動回路における過電流検出処理機能を改善する。【解決手段】IGBT2aに対するゲート駆動回路30において、IGBT2aのコレクタ-エミッタ間の電圧を抵抗31とダイオード32とを介して検出し、この検出値が過電流判定回路33,34に内臓する基準電源24aの電圧を越えたときに、IGBT2aが過電流状態になったと判定し、ソフト遮断回路23を動作させることにより、IGBT2aを緩やかにターンオフさせる。

請求項（抜粋）：

電力変換装置を形成する電力用半導体素子のゲート駆動回路において、このゲート駆動回路には、外部からのオン,オフ指令をオン,オフ信号に変換するインタフェース回路と、該オン,オフ信号に基づき前記電力用半導体素子をオン,オフさせるゲート電圧を生成するゲート電圧制御回路と、前記電力用半導体素子をソフト遮断するソフト遮断回路と、前記オン信号が発生中の前記電力用半導体素子の主端子間電圧を監視し、該主端子間電圧が判定値を越えたときに、前記ゲート電圧制御回路を不動作にすると共に、前記ソフト遮断回路を動作させる過電流判定回路とを備えたことを特徴とする電力用半導体素子のゲート駆動回路。

IPC (3件)：

H02M 1/00 ,  H02M 1/08 ,  H02M 7/537

FI (3件)：

H02M 1/00 H ,  H02M 1/08 A ,  H02M 7/537 E

Fターム (22件)：

5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DB03 ,  5H007DC02 ,  5H007DC05 ,  5H007FA03 ,  5H007FA13 ,  5H007FA19 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB06 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA01 ,  5H740JB01 ,  5H740MM02 ,  5H740MM12