特許
J-GLOBAL ID：200903065104295223

半導体装置

発明者：
杉野 隆

杉野 隆 について

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楠原 昌樹

楠原 昌樹 について

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梅田 優

梅田 優 について


出願人/特許権者：
杉野 隆

杉野 隆 について

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株式会社渡邊商行

株式会社渡邊商行 について


代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278617
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313335
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、ホウ素、炭素、窒素を含有する材料を配線の層間絶縁膜に用いて、高性能半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子(ゲート2およびコンタクト3からなるMOSFET)の存在するシリコン基板1上で配線金属(金属6A〜6F)が、ホウ素、炭素、窒素の少なくとも1元素を主要元素とする絶縁層(層間絶縁膜5A〜5C)を介して形成され、前記絶縁層内で原子の結合構造が異なる領域を2種以上含んでいる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の存在する基板上で、ホウ素、炭素、窒素の少なくとも1元素を主要元素とする絶縁層を介して配線金属が形成され、前記絶縁層内で原子の結合構造が異なる領域を2種以上含んでいることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/318
FI (2件)：
H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 K
Fターム (33件)：
5F033GG02 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058BA04 ,  5F058BB02 ,  5F058BD02 ,  5F058BD09 ,  5F058BD13 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-182975   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平4-099049
  • 特開昭63-037637
引用文献：
審査官引用 (1件)

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