特許

J-GLOBAL ID：200903065116200139

揮発性化学種を有する半導体材料中の表層欠陥を減少させる方法

発明者： チャン・エヌ・ヌグイェン ,  ロバート・ジー・ウイルソン
出願人/特許権者： エイチイー・ホールディングス・インコーポレーテッド・ディービーエー・ヒューズ・エレクトロニクス
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325048
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261592
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体デバイスを製造するのに使用される化合物の表層中の化学種空格子点を減少させる簡単で効率的な方法を提供することを目的とする。【解決手段】 揮発性化学種の原子11を試料12の表層18に注入して、表層18中に存在する化学種空格子点をふさぎ、その後に試料12をアニーリングして、注入原子11のいくつかを表層18中の格子間位置から置換位置に移動させるステップを含み、注入およびアニーリングが表層18中の化学種空格子点の数を減少させ、揮発性化学種を含む半導体試料の表層中の表面欠陥を減少させる。

請求項（抜粋）：

揮発性化学種を含む半導体試料の表層中の表面欠陥を減少させる方法において、前記揮発性化学種の原子を前記試料の表層に注入して、前記表層中に存在する化学種空格子点をふさぎ、前記試料をアニーリングして、前記注入原子のいくつかを前記表層中の格子間位置から置換位置に移動させるステップを含み、前記アニーリングは前記注入後に実行され、前記注入およびアニーリングが前記表層中の化学種空格子点の数を減少させることを特徴とする方法。