特許
J-GLOBAL ID：200903065116293358
半導体レーザ装置およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120042
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316567
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ素子の発光面から凸レンズなどの光学素子までの光学的距離を一定にすることができ、かつ、LDチップをステムとキャップにより気密にシールすることができるLD装置およびその製法を提供する。【構成】 ステム上に半導体レーザ素子がマウントされ、前記ステムの面と直角方向に前記半導体レーザ素子からの光を放射する半導体レーザであって、前記ステムが第1のステム1と第2のステム2とからなり、第1のステムに前記半導体レーザ素子3がマウントされ、第2のステムに前記半導体レーザ素子からの光を前記ステムの面と直角方向に反射させる反射面Rが設けられ、前記第1のステムと第2のステムとが相互に固着されている。
請求項（抜粋）：
ステム上に半導体レーザ素子がマウントされ、前記ステムの面と直角方向に前記半導体レーザ素子からの光を放射する半導体レーザ装置であって、前記ステムが第1のステムと第2のステムとからなり、第1のステムに前記半導体レーザ素子がマウントされ、第2のステムに前記半導体レーザ素子からの光を前記ステムの面と直角方向に反射させる反射面が設けられ、前記第1のステムと第2のステムとが相互に固着されてなる半導体レーザ装置。
引用特許：
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