特許
J-GLOBAL ID：200903065118129830
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053614
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140377
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 結晶表面をより一層清浄化することを可能にすると共に、その清浄化された結晶表面をより安定に長時間保つことを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。また、シリコン基板表面の原子レベルでの平坦化を、安全でかつ簡便に行うことを可能にする。【構成】 結晶上に、結晶膜、金属膜、絶縁膜等を形成する成膜工程の前処理として、結晶表面の残留不純物を液状表面処理剤で除去する工程と、残留不純物を除去した後の結晶を、実質的に酸化物を形成しない純水、具体的には溶存酸素濃度が300ppb以下の純水で洗浄すると共に、純水中で保存する工程とを行う。また、溶存酸素濃度が300ppb以下の純水で洗浄することにより、シリコン結晶表面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
結晶上に、結晶膜、金属膜、絶縁膜等を形成する成膜工程を含む半導体装置の製造方法において、前記成膜工程の前処理として、前記結晶表面の残留不純物を液状表面処理剤で除去する工程と、前記残留不純物を除去した後の結晶を、実質的に酸化物を形成しない純水で洗浄すると共に、前記純水中で保存する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
