化学イメージセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-328707
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131276
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は環境負荷を軽減し、使用勝手の良い、安価なケミカルイメージセンサを実現する。【解決手段】サファイヤ、石英等の透明基板上に半導体層と絶縁層を積層し、該透明基板の裏面より断続した光を照射して該半導体層内に電子-正孔対を発生させることにより該半導体層表面に生ずる表面光電圧を利用する。光アドレス電位応答センサを用いて、化学イメージセンサセルを構成するのに、上記半導体層の表面上の一部にセンサ信号電極端子部を設け、さらに上記センサ部の同一面上に絶縁膜を介し且つセンサ部を囲むように参照電極用及び対極用の電極材料膜を平面的に形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

サファイヤ、石英等の透明基板上に半導体層と絶縁層を積層し、該透明基板の裏面より断続した光を照射して該半導体層内に電子-正孔対を発生させることにより該半導体層表面に生ずる表面光電圧を利用する光アドレス電位応答センサを用いて、化学イメージセンサセルを構成するのに、上記半導体層の表面上の一部にセンサ信号電極端子部を設け、さらに上記センサ部の同一面上に絶縁膜を介し且つセンサ部を囲むように参照電極用及び対極用の電極材料膜を平面的に形成したことを特徴とする化学イメージセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/414 , G01N 27/416

FI (3件)：

G01N 27/30 301 U , G01N 27/46 U , G01N 27/46 353 G

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