特許

J-GLOBAL ID：200903065133786520

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 古谷 章 ,  須藤 久男 ,  近藤 真人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268311
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、光学特性及び電流閉じ込め性が良好な半導体レーザを少ない工程で簡単に製造できるようにする。【構成】 n-GaAs基板11の<110>軸方向或いは<1バー10>軸方向に順メサ斜面を有するストライプ溝11Aが形成され、その基板11上にストライプ溝11Aに倣う屈曲構造を持った少なくともn-AlGaInPクラッド層12及びInGaP活性層13及びp-AlGaInPクラッド層14からなるダブル・ヘテロ構造が形成され、ストライプ溝11Aに倣って生成されたクラッド層14上に於けるストライプ溝内にクラッド層14に比較し狭いエネルギ・バンド・ギャップをもったストライプのp-InGaP中間層15が形成され、中間層15及びクラッド層14を覆い且つ中間層15に比較して狭いエネルギ・バンド・ギャップをもったp-GaAsコンタクト層16が形成される。

請求項（抜粋）：

<110>軸方向或いは<1バー10>軸方向に延在する順メサ斜面を有するストライプ溝が形成された一導電型化合物半導体基板と、前記一導電型化合物半導体基板上に形成されて前記ストライプ溝に倣う屈曲構造をもってダブル・ヘテロ構造をなす少なくとも一導電型化合物半導体クラッド層及び化合物半導体活性層及び反対導電型化合物半導体クラッド層と、前記一導電型化合物半導体基板のストライプ溝に倣って生成された反対導電型化合物半導体クラッド層上に於けるストライプ溝内に形成され前記反対導電型化合物半導体クラッド層に比較して狭いエネルギ・バンド・ギャップをもったストライプの反対導電型化合物半導体中間層と、前記反対導電型化合物半導体中間層及び前記反対導電型化合物半導体クラッド層を覆い且つ前記反対導電型化合物半導体中間層に比較して狭いエネルギ・バンド・ギャップをもった反対導電型化合物半導体コンタクト層とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ。