化学機械研磨における終点検出のための原位置方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (9件)：中村稔 , 大塚文昭 , 熊倉禎男 , 宍戸嘉一 , 今城俊夫 , 小川信夫 , 村社厚夫 , 西島孝喜 , 箱田篤
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-516606
公開番号（公開出願番号）：特表2004-514273
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【解決手段】化学機械研磨の間に半導体ウェーハ又は基板上の局域における材料の除去を原位置モニターするための方法及び装置が提供されている。特に、本発明の方法及び装置は、ウェーハ表面上の或る局部又は局域内で、異なる材料の間の反射率(134)の差異を検出することを提供する。この反射率の差異(150)は、或る局域それぞれにおける材料除去の速度又は進展具合(152)を示すのに用いられる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

化学機械研磨(CMP)装置において、第1直径を有する回転研磨プラテンと、複数のチャンバを有し、各チャンバ内の圧力を独立して変化させ前記各チャンバをウェーハの対応する局域に押し付けることができるようになっている、前記回転プラテンと協働してウェーハを保持するためのウェーハキャリアと、前記研磨プラテン内に形成され、ウェーハを横切って定期的に走査するようになっている少なくとも1つの窓と、前記窓が回転して前記ウェーハを通過するときに、前記窓を通して光を送り、ウェーハから反射される光を前記窓を通して受け取って、ウェーハ表面上の材料の反射率をその複数の局域において検出するための、前記プラテンに取り付けられている光学検出システムと、を備えていることを特徴とする化学機械研磨(CMP)装置。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04

FI (4件)：

H01L21/304 622S , H01L21/304 621D , B24B37/00 B , B24B37/04 K

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058AA12 , 3C058AC02 , 3C058BA07 , 3C058BB02 , 3C058BC01 , 3C058BC02 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058DA12

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