特許

J-GLOBAL ID：200903065143496317

GaN結晶の成長方法

発明者： 草尾 幹
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152172
公開番号（公開出願番号）：特開2003-342715
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：

【要約】【課題】 金属Ga蒸気と窒素プラズマを利用するGaN結晶成長方法において、結晶成長を継続的に維持し得るように、そのGaN結晶成長方法を改善する。【解決手段】 第1の減圧下で上部から窒素プラズマが導入される反応管1の底部において金属Gaを蒸発させるための坩堝2を設け、この坩堝の上方において基板11を保持するための基板保持台3を配置し、GaN結晶を成長させるための基板を基板保持面上に載置し、坩堝から蒸発させられた金属Gaの蒸気と反応管の上部から導入された窒素プラズマとを基板上で反応させることによってGaN結晶を成長させる方法において、坩堝内の金属Gaの融液表面にGaN皮膜が形成されたときに、窒素プラズマの導入を停止して反応管内部を第1の圧力より低い第2の圧力へさらに減圧することによってGaN皮膜の表面上にGa融液を滲み出させ、その後に第1の圧力下の窒素プラズマを反応管内に再導入する。

請求項（抜粋）：

第1の圧力の減圧下において上部から窒素プラズマが導入される反応管を準備し、前記反応管の底部において金属Gaを蒸発させるための坩堝を設け、前記坩堝の上方において基板を保持するための基板保持台を配置し、GaN結晶を成長させるための前記基板を前記基板保持台上に載置し、前記坩堝から蒸発させられた前記金属Gaの蒸気と前記反応管の上部から導入された前記窒素プラズマとを前記基板上で反応させることによってGaN結晶を成長させる方法において、前記坩堝内の前記金属Gaの融液表面にGaN皮膜が形成されたときに、前記窒素プラズマの導入を停止して前記反応管内部を前記第1の圧力より低い第2の圧力へさらに減圧することによって前記GaN皮膜の表面上に前記Ga融液を滲み出させ、その後に前記第1の圧力下の窒素プラズマを前記反応管内に再導入することを特徴とするGaN結晶の成長方法。

IPC (6件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/06 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (6件)：

C23C 14/24 D ,  C23C 14/06 A ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (33件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077EA08 ,  4G077ED06 ,  4G077EG01 ,  4G077SA08 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA07 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB15 ,  4K029EA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073DA07 ,  5F103AA01 ,  5F103BB02 ,  5F103BB09 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103NN04 ,  5F103RR02