特許

J-GLOBAL ID：200903065147396597

薄膜形成装置

発明者： 六平 克之
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211859
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074749
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】更なる高密度化に対応し得る薄膜を形成するための薄膜形成装置を提供する。【解決手段】周波数の異なる2電力を同時に対向電極3,4間に供給して、反応容器2内にプラズマを発生させる。配管6を介して反応容器2内に反応ガスを導入する。反応ガスがプラズマ放電エネルギーにより活性化され、化学的気相成長により低誘電率の薄膜が半導体基板等の試料5面上に生成される。前記反応ガスとして、少なくともTEOS系ガスとフッ素原子を含むガス、又は、TEOS系ガスと塩素原子を含むガス、又は、TEOS系ガスと臭素原子を含むガスを導入する。

請求項（抜粋）：

周波数の異なる2電力を同時に適用して反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記反応容器内に、少なくともTEOS系ガスとフッ素原子を含むガスとを導入して混合させる導入手段とを備え、前記少なくともTEOS系ガスとフッ素原子を含むガスが前記プラズマの放電エネルギ-にて活性化されて化学的気相成長によって生成される低誘電率の沈積物を試料面に被着させることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-236282
  
• 特公昭59-030130
  
• 特開平4-359515