特許
J-GLOBAL ID：200903065154097929
静電容量式センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-198953
公開番号（公開出願番号）：特開平10-038737
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 電極の位置精度が向上し安定したセンサ特性が得られる静電容量式センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 チップ10の第2の基板層13には外表面13bからシリコン酸化膜層11の位置にわたって穴15が穿設され、前記酸化膜層11は該穴15先端必要箇所15aが除去されて第1のシリコン基板層12内表面12aと第2のシリコン基板層13内表面13aが対向する空間部16が形成されており、第1のシリコン基板層12内表面12aに第1の電極層17が形成されると共に、前記第2のシリコン基板層13の外表面13bから前記穴15の内周面15bさらには第2のシリコン基板層13内表面に13aに第2の電極層18が形成されており、測定対象による第1の電極層17と第2の電極層18との間隔の変位を静電容量の変化で検出するようにした。
請求項（抜粋）：
中間層の両面にそれぞれ第1の基板層と第2の基板層とを有するチップの第2の基板層には外表面から中間層の位置にわたって穴が穿設され、前記中間層は該穴先端必要箇所が除去されて第1の基板層内表面と第2の基板層内表面が対向する空間部が形成されており、第1の基板層内表面に第1の電極層が形成されると共に、前記第2の基板層の外表面から前記穴の内周面さらには第2の基板層内表面に第2の電極層が形成されており、測定対象による第1の電極層と第2の電極層との間隔の変位を静電容量の変化で検出するようにしたことを特徴とする静電容量式センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/12
, G01P 15/125
, H01L 29/84
G01L 9/12
, G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
