特許

J-GLOBAL ID：200903065155991445

高純度白金薄膜の形成方法

発明者： 斎 篤 ,  佐藤 正光 ,  小木 勝美
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100125
公開番号（公開出願番号）：特開平9-287075
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高純度白金薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 一般式1の有機白金化合物を用いて有機金属化学蒸着法により基板上に白金薄膜を形成する白金薄膜形成方法において、該有機金属化学蒸着を成膜室で、波長240nm以上の光照射のもとで行う高純度白金の薄膜形成方法。〔R1 〜R4 は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基を示し、R1 〜R4 のうちの少なくとも1つの置換基はアルキル基である。R5 ,R6 は炭素数1〜3のアルキル基、フェニル基、フェニルメチル基、トリメチルシリルメチル基又はトリフルオロメチル基のいずれかを示す。〕、必要に応じて、成膜室の温度が、100°C以上150°C以下であり、有機白金化合物を有機溶媒に溶解した溶液を定量的に気化室に導入し、加熱、気化させた後、キャリアーガスと共に成膜室に導入し、光照射のもとで有機金属化学蒸着を行う。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される有機白金化合物を用いて有機金属化学蒸着法により基板上に白金薄膜を形成する白金薄膜形成方法において、該有機金属化学蒸着を成膜室で、波長240nm以上の光照射のもとで行うことを特徴とする高純度白金の薄膜形成方法。【化1】〔上記一般式 (1)中、R1 〜R4 は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基を示し、R1 〜R4 のうちの少なくとも1つの置換基はアルキル基である。R5 ,R6 は炭素数1〜3のアルキル基、フェニル基、フェニルメチル基、トリメチルシリルメチル基又はトリフルオロメチル基のいずれかを示す。〕

IPC (5件)：

C23C 16/18 ,  C07F 15/00 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (5件)：

C23C 16/18 ,  C07F 15/00 F ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C