特許
J-GLOBAL ID：200903065157209612
薄膜形成用汚染防止材、薄膜形成装置および薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115061
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298736
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】【課題】 ハイパワースパッタリングのような高温環境下における薄膜形成装置内でもパーティクルの発生を低減することのできる手段を開発する。【解決手段】 Ti箔あるいは蛇腹状Ti箔あるいはエンボス加工により複数の凹凸を形成したTi箔からなることを特徴とする薄膜形成装置用汚染防止材。
請求項（抜粋）：
薄膜形成装置用の汚染防止材において、Ti箔あるいは蛇腹状Ti箔あるいはエンボス加工により複数の凹凸を形成したTi箔からなることを特徴とする薄膜形成装置用汚染防止材。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/00 B
, C23C 16/44 J
