特許

J-GLOBAL ID：200903065161698350

1つまたはいくつかの汚染ガスのための検出器およびその使用方法

発明者： ジェラール・ギュイロー ,  ジャック・シモン
出願人/特許権者： グリム・エア・エ・デ・エス・ア・エア・エル
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-555087
公開番号（公開出願番号）：特表2002-518673
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2002年06月25日
要約：

【要約】本発明は、チャンバ(14)内に収容される電界効果トランジスタ(13)の形態とされた検出器に関するものである。トランジスタ(13)の電気活性部分は、マクロ分子材料層(4)によって形成されている。マクロ分子材料層(4)は、例えばO3やNO2といったような少なくとも1つの汚染ガスを含有した混合ガスに対して露出される。この場合、汚染ガスが、分子材料層内にドーピングされる。測定デバイス(10)は、検出器が初期化された後の少なくとも1つの所定時刻における、ドレイン電極(5)とソース電極(6)との間を流れる電流(IDS)の強度を測定するための手段を備えている。存在する汚染ガスは、その濃度に応じて、層(4)をなす材料のドーピングを引き起こす。電流(IDS)の強度およびその時間微分が、汚染ガスの濃度に関連する。

請求項（抜粋）：

1つまたはいくつかの汚染ガスのための検出器であって、 分子材料層として構成された電気活性部分(4)を介して互いに接続されたドレイン電極(5)とソース電極(6)とを備えてなる電界効果トランジスタ(13)と、 該トランジスタの前記ソース電極および前記ドレイン電極に対して接続されていて、前記分子材料層が前記少なくとも1つの汚染ガスの影響を受けたときに前記トランジスタの前記ドレイン電極と前記ソース電極との間を流れる電流(IDS)の強度を測定するための測定デバイスと、を具備してなり、 前記測定デバイスが、前記検出器の初期化後の少なくとも1つの与えられた時刻において前記トランジスタの前記ドレイン電極と前記ソース電極との間を流れる前記電流強度(IDS)を測定するための手段を備え、 前記少なくとも1つの汚染ガスの存在が、該汚染ガスの濃度に依存したドーピング効果をもたらすようになっており、 前記電流(IDS)の強度および立上り勾配が、前記汚染ガスの濃度と関連づけられていることを特徴とする検出器。

IPC (4件)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/30 311 ,  G01N 27/416 ,  G01N 33/00

FI (4件)：

G01N 27/30 311 C ,  G01N 33/00 ,  G01N 33/00 301 G ,  G01N 27/46 311 G