特許

J-GLOBAL ID：200903065162669494

高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及び半導体集積回路装置

発明者： 斎藤 直人 ,  小島 芳和 ,  斉藤 豊 ,  小山内 潤 ,  石井 和敏
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006022
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226505
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧MISトランジスタのゲート絶縁膜を薄くできるため、高速動作の低耐圧トランジスタと同一基板上に形成できるので、低コスト、高性能の高耐圧の半導体集積回路が可能。【構成】 P型基板1に、高耐圧トランジスタ15と低耐圧トランジスタ14が形成され、高耐圧トランジスタ15のゲート酸化膜3の膜厚は低耐圧トランジスタ14の膜厚と等しい厚みで製作することを可能とするため、高耐圧トランジスタ15のチャンネル領域とN+ ドレイン領域7との間にN±ドレイン領域6を形成する構成を成す。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体領域表面に互いに間隔をおいて設けられた第2導電型のソース領域とドレイン領域と、該ソース領域と該ドレイン領域との間に該半導体領域のチャネル形成領域と、該チャネル形成領域の上に設けられたゲート絶縁膜とゲート電極とからなる高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、該ゲート絶縁膜が100Åから200Åの間の膜厚の絶縁膜であるとともに、該ゲート電極と該ゲート絶縁膜を介して重なる該ドレイン領域の表面不純物濃度が5×1016atoms/cm3 から5×1018atoms/cm3であることを特徴とする高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/78 301 G