特許
J-GLOBAL ID：200903065162785630
光起電力素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
石田 敬
, 鶴田 準一
, 土屋 繁
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192465
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039751
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】切断面すなわち側面での再結合損失を低減することでエネルギー変換効率の向上を図った光起電力素子を提供する。【解決手段】半導体基板10と、その半導体基板の裏面に形成され半導体基板のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有するp+型半導体層14及びn+型半導体層12と、そのp+型半導体層14及びn+型半導体層12にそれぞれ接続された正電極24及び負電極22と、を備えた裏面電極型の光起電力素子において、半導体基板10の側面にショットキー障壁となる金属膜52及び54を形成し、電子又は正孔が側面すなわち切断面へ移動するのを防止する。また、裏面電極型に代えて表裏面電極型としてもよい。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の裏面に形成され、前記半導体基板のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有するp+型半導体層及びn+型半導体層と、
前記p+型半導体層及びn+型半導体層にそれぞれ接続された正電極及び負電極と、
を備えた裏面電極型の光起電力素子において、
前記半導体基板の側面にショットキー障壁となる金属膜が形成されていることを特徴とする光起電力素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F051AA02
, 5F051CB20
, 5F051CB28
, 5F051DA03
, 5F051DA06
, 5F051EA18
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5F051HA03
, 5F051HA06
, 5F051HA20
