特許

J-GLOBAL ID：200903065165591704

薄膜フォトトランジスタ

発明者： 荒井 三千男 ,  杉浦 和司 ,  小玉 光文 ,  山内 幸夫 ,  高山 一郎 ,  坂本 直哉
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 山谷 晧榮 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048693
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263741
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 TFTフォトトランジスタに係り、特にダブルゲートのポリシリコン型の構成にすることにより高感度のTFTフォトトランジスタを提供すること。【構成】 薄膜トランジスタのソース領域7とドレイン領域8の間に光照射される活性層を設けた薄膜フォトトランジスタにおいて、その活性層4をポリシリコン型で構成し、またこのポリシリコン型の活性層4を2つのゲート電極2、6の間に配置する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間に光照射される活性層を設けた薄膜フォトトランジスタにおいて、その活性層をポリシリコン型で構成し、またこのポリシリコン型の活性層を2つのゲート電極の間に配置したことを特徴とする薄膜フォトトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 31/10 E ,  H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 31/10 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-082171
  
• 特開昭58-097877
  
• フォトセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107711   出願人：カシオ計算機株式会社