特許
J-GLOBAL ID：200903065173552467
配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117582
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312752
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 容量素子から電源用配線導体に電荷を良好かつ迅速に供給することができず、高速作動の半導体素子を正常に作動させることができなかった。【解決手段】 絶縁層1a〜1fを積層した絶縁基体1の絶縁層1a〜1f間に半導体素子2に接続される電源用配線導体3・4を埋設するとともに絶縁基体1の表面に容量素子10が接続される容量素子接続用導体11・12を被着しており、電源用配線導体3・4と容量素子接続用導体11・12とを貫通導体16〜19により接続して成る配線基板において、容量素子接続用導体11・12と電源用配線導体3・4との間に少なくとも2層の絶縁層1a・1bを配置し、絶縁層1a・1b間に容量素子接続用導体11・12よりも広い面積の中継用導体14・15を形成して、中継用導体14・15と容量素子接続用導体11・12とを第1の数の貫通導体16・17で、中継用導体14・15と電源用配線導体3・4とを第1の数よりも多い第2の数の貫通導体18・19で接続した。
請求項（抜粋）：
複数の絶縁層を積層して成る絶縁基体の前記絶縁層間に半導体素子の電源用電極に接続される電源用配線導体を埋設するとともに、該絶縁基体の表面に容量素子の電極が接続される容量素子接続用導体を被着しており、前記電源用配線導体と容量素子接続用導体とを前記絶縁層を貫通して設けられた貫通導体により接続して成る配線基板において、前記容量素子接続用導体と前記電源用配線導体との間に少なくとも2層の絶縁層を配置するとともに該少なくとも2層の絶縁層間に前記容量素子接続用導体よりも広い面積の中継用導体を形成し、該中継用導体と前記容量素子接続用導体とを第1の数の貫通導体で接続するとともに、前記中継用導体と前記電源用配線導体とを前記第1の数よりも多い第2の数の貫通導体で接続して成ることを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 E
, H05K 3/46 Q
