半導体素子製造工程における不純物拡散方法、同方法に用いる不純物拡散装置および同方法から製造された半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365299
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185502
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】均一な不純物拡散層を形成し、性能や歩留まりの高い不純物拡散処理が可能な半導体素子製造工程における不純物拡散処理方法および同方法に用いる不純物拡散装置、並びに、歩留まりの高い太陽電池等を含む半導体素子を得ること。【解決手段】ボート上に複数列配置する半導体素子用基板の基板表面側の一番外側に、ガス流路を均一に保つための流路板を設置する。この流路板としてはシリコンで製作されたものを用いる。なお、ボートは、子ボートと親ボートとの組み合わせとしても良い。

請求項（抜粋）：

ソースガスにより液体拡散源をバブリングさせ、液体拡散源の飽和蒸気を含むソースガスをキャリアガスに合流して拡散用ガス気流とし、この拡散用ガス気流を前記石英チューブ内にその一端から導入する工程と、半導体素子用基板を、その基板表面が一定の向きとなり、かつ、前記石英チューブの中心軸と平行となる状態にして、この中心軸の方向およびこれと直角の方向にそれぞれ等間隔に複数列並べてボート上に配置する工程と、前記半導体素子用基板と同一外形寸法に形成された流路板を、前記半導体素子用基板の列群における半導体素子用基板の基板表面側の最外側に、前記間隔と同じ寸法を隔てて前記ボート上に配置する工程と、上記のごとく半導体素子用基板および流路板を配置したボートを前記石英チューブ内に挿入して設置する工程と、この挿入されたボート上の半導体素子用基板を、前記石英チューブ内で加熱しながら前記ガス気流に接触せしめることにより、不純物拡散処理する工程とを備えていることを特徴とする半導体素子製造工程における不純物拡散方法。

IPC (2件)：

H01L 21/22 501 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/22 501 S , H01L 31/04 A

Fターム (4件)：

5F051AA02 , 5F051CB20 , 5F051CB30 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

特公昭50-004431
特公昭50-004431
特開平1-230246

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