特許
J-GLOBAL ID：200903065177016233
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203810
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058107
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【構成】ポリイミド膜13と無機絶縁膜12とからなる積層パッシベーション膜形成プロセスにおいて、半導体基板上に所定のパターンを有する金属配線11上にパッシベーション用の無機絶縁膜12を形成する工程と、ポリイミド膜13を形成する工程とにより積層パッシベーション膜を形成し、ポリイミド膜13を開孔する工程と、ポリイミド膜13をマスクにして無機絶縁膜12を開孔する工程により、積層パッシベーション膜の所定の位置に開口部を形成した後、ポリイミド膜13の表面層を一定量除去する工程を具備した事を特徴としている。【効果】本発明による半導体装置の製造方法によれば、モールド樹脂中に水分が侵入しても、パッドや配線のコロージョンが発生しにくく、かつ、モールド樹脂との密着性の良好な半導体装置の製造方法を提供することが出来る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された金属配線上に無機絶縁膜を形成する工程と、前記無機絶縁膜上にポリイミド膜を形成する工程と、前記ポリイミド膜上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストを所定の形状に形成した後、これをマスクとして前記ポリイミド膜にエッチングにて所定の開口部を設ける工程と、前記フォトレジストを除去する工程と、前記ポリイミド膜をマスクにして前記無機絶縁膜にRIEによるドライエッチングを施す工程と、前記ポリイミド膜の表面層を一定量除去する工程とから構成される積層パッシベーション膜形成工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/3065
, H01L 21/312
, H01L 21/3213
H01L 21/88 T
, H01L 21/302 N
, H01L 21/88 D
