特許
J-GLOBAL ID：200903065183984020
プローブカードの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233578
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090307
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【目的】 プローブカードのすべてのバンプの先端を同一の平面上に位置させることにより、プローブカードのすべてのバンプと半導体チップのすべての検査用電極とが確実に接続されるようにする。【構成】 下層の金属配線42と上層の金属電極44との間に層間絶縁膜43を有するガラス基板41と、金属電極44と電気的に接続するように形成され半導体チップの検査用電極と接続されるバンプ45とを、層間絶縁膜43が軟化する温度で保持した状態で、バンプ45の先端を平坦な基板46に押し付けてバンプ45の先端を同一平面上に位置させる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上に形成された半導体チップの電気特性を検査するためのプローブカードの製造方法であって、下層の金属配線と上層の金属電極との間又は基材と前記金属電極との間に層間絶縁膜を有する配線基板と、前記上層の金属電極と電気的に接続するように形成され前記半導体チップの検査用電極と接続されるバンプとを、前記層間絶縁膜が軟化する温度で保持した状態で、前記バンプの先端を平坦な基板に押し付けて前記バンプの先端を同一平面上に位置させる工程を備えていることを特徴とするプローブカードの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 1/073 E
, H01L 21/66 B
