特許
J-GLOBAL ID：200903065188847382
半導体装置のリード加工方法及びリード加工用金型
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316173
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172153
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 最終的な製品形態でアウターリードの先端面に確実にメッキ被膜を残すことができる半導体装置のリード加工方法を提供する。【構成】 先ず、樹脂封止終了後のリードフレーム1に外装処理を施したのち、規定のカッティングラインLよりも外側の領域でリードフレーム1からアウターリード3を切り離す。次いで、アウターリード3を所定の形状に成形する前又は成形した後に、カッティングラインL上のリード下面にノッチ部3dを形成する。その後、カッティングラインLに沿ってアウターリード3を切断することにより、リード先端面にノッチ痕によるメッキ被膜を残すことができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子を封止してなるパッケージ本体と、前記パッケージ本体から延出し且つその先端部分を実装時の取付部としたアウターリードとを備えた半導体装置のリード加工方法において、先ず、樹脂封止終了後のリードフレームに外装処理を施したのち、規定のカッティングラインよりも外側の領域で前記リードフレームから前記アウターリードを切り離し、次いで、前記アウターリードを所定の形状に成形する前又は成形した後に、前記カッティングライン上のリード下面にノッチ部を形成し、その後、前記カッティングラインに沿って前記アウターリードを切断することを特徴とする半導体装置のリード加工方法。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, B21D 5/01
, B21K 1/54
